Eylül 2026’da Çin’in hafıza devi ChangXin Memory Technologies (CXMT), beşinci nesil DRAM platformunun seri üretime geçtiğini duyurdu.
Hefei’deki World Manufacturing Convention’da hafızayı üreten firma, aktif alan yarı-pichinin 11,95 nanometre, kapasitör oranının 45:1 ve bir önceki nesle göre wafer başına en az %50 daha fazla ham die üretildiğini bildirdi.
Kısacası CXMT, hücreleri daha sık yerleştirebilir, daha az alanda daha yüksek kapasitörler inşa edebilir ve bir wafer başına en az %50 daha fazla çip üretebilir.
Kaynak: Interestingengineering ↗
💻 SayarBilgi Topluluğu
Bu Gelişmeyi Toplulukta Değerlendirin
Haber hakkındaki düşüncelerinizi, donanım deneyimlerinizi ve teknik sorularınızı topluluk üyeleriyle anlık olarak tartışın.
💬 Topluluk Masası & Tartışma
Bu gelişme hakkında düşüncelerinizi, donanım deneyimlerinizi veya sorularınızı Topluluk Forumumuzda paylaşın.
Foruma Katıl & Yanıtla ➔
Söz sizde.
Deneyiminizi, sorularınızı ve katkılarınızı paylaşın. E-posta adresiniz yayımlanmaz.