Hızlı erişim için kaydolun. E-postanızı aşağıya girin ve size bir onay e-postası göndereceğiz ve ayrıca bültenimize de kaydedeceğiz.
Bilgilerinizi göndererek, 16 yaşından büyük olduğunuzu, Gizlilik Politikasını okuduğunuzu ve Şartlar & Koşullarına kabul ettiğinizi onaylamış olursunuz. Coğrafi kısıtlamalar geçerlidir.
Teknolojinin En Güncel Gelişmeleriyle Buluşun: Tom’s Hardware Bültenine Abone Olun
Tom’s Hardware’in en iyi haberlerini ve derinlemesine incelemelerini doğrudan e-posta kutunuza alın.
Şimdi abone oldunuz.
Bülten aboneliğiniz başarılı bir şekilde gerçekleşti.
Bu e-posta adresiyle zaten bir hesap bulunmaktadır, lütfen giriş yapın.
SMIC’in üçüncü nesil 7nm teknolojisi, Intel 18A’dan daha küçük metal aralıklarına sahip ve TSMC N6’nın EUV kullanmayan üretim süreçleriyle aynı seviyede transistör yoğunluğuna ulaşıyor — N+3’ün analizi, Çin’in yarı iletken üretiminde önemli bir ilerleme gösteriyor.
SemiAnalysis tarafından yapılan ve Huawei’nin Kirin 9030 akıllı telefon işlemcisi (SoC) üzerine odaklanan bir analiz, SMIC’in üçüncü nesil 7nm sınıfı üretim teknolojisinin (N+3), Intel’in 18A üretim teknolojisinden daha küçük metal aralıklarına sahip olduğunu ve Çin’in önde gelen bu üreticinin, EUV litografisi kullanan üretim süreçleriyle aynı seviyede transistör yoğunluğuna ulaştığını ortaya koydu. Ancak bu durum, SMIC’in N+3 teknolojisini Intel’in 18A veya TSMC’nin N2 ve N3 teknolojileriyle rekabet edebilir mi? Maalesef değil.
Bu gelişme, özellikle yarı iletken endüstrisinde uzun süredir devam eden bir yarışın önemli bir aşamasını temsil ediyor. Geçmişte, benzer teknolojik atılımlar, örneğin ilk transistörün icadı veya entegre devrelerin geliştirilmesi gibi, tıbbi alanda da büyük ilerlemelere yol açmıştır. Bu gelişmeler, daha önce tedavi edilemeyen hastalıklara yönelik yeni tedavi yöntemlerinin bulunmasına ve yaşam süresinin uzatılmasına katkıda bulunmuştur. Benzer şekilde, SMIC’in bu başarısı, gelecekteki teknolojik yeniliklerin kapısını aralayabilir ve tıbbi alanda da yeni fırsatlar yaratabilir.
SemiAnalysis’in detaylı incelemesi, SMIC’in N+3 üretim sürecinin en az 32.5 nanometre metal aralığına sahip olduğunu gösteriyor. Bu değer, Intel’in Panther Lake işlemcilerindeki birçok yüksek performanslı hücrede kullanılan yaklaşık 36 nanometre aralığından daha dar bir değerdir. Ancak, 18A teknolojisi de yaklaşık 32 nanometre metal aralıklarına destek verebilir.
SemiAnalysis ve High Yield’ın yayınladığı videoda, SMIC’in N+3 teknolojisinin diğer önemli özellikleri, örneğin temaslı kapı aralığı (CGP), standart hücre yüksekliği (izler veya nanometre) veya fin aralığı gibi detaylar açıklanmamıştır. Bu nedenle, bu üretim düğümünü Intel veya TSMC teknolojileriyle doğrudan karşılaştırmak mümkün değildir. Ancak, videoda belirtilen tahmini transistör yoğunluğu yaklaşık 113.4 milyon transistör/milimetre kare (Mtr/mm2) olarak hesaplanmıştır. Bu değer, TSMC’nin N6 teknolojisinin 107.7 Mtr/mm2 olan transistör yoğunluğundan bile daha yüksektir.
TSMC’nin N6 teknolojisi, birden fazla EUV (Extreme Ultraviolet – Aşırı Ultraviyole) katmanı kullanır. Bu nedenle, SMIC’in EUV litografisini kullanmadan daha yüksek bir transistör yoğunluğuna ulaşması, tartışmasız bir teknolojik başarıdır. SMIC, bu yoğunluğu, özellikle en dar katmanlarda kendi kendine hizalanan dörtlü desenleme (self-aligned quadruple patterning) ve kapsamlı tasarım-teknoloji ortak optimizasyonu (DTCO) gibi yöntemlerle elde etmiştir. Bu yaklaşım, 1930’ların sonlarında geliştirilen fotolitografi tekniklerinin modern bir uzantısıdır ve o zamandan beri sürekli olarak iyileştirilmektedir.
Ek olarak, SemiAnalysis’in araştırmasına göre, SMIC bazı teknikler kullanarak transistör yoğunluğunu artırmıştır. Bunlar arasında daha az fin kullanımı, kontakların doğrudan aktif kapıların üzerine yerleştirilmesi ve hücre izolasyonunun sıkılaştırılması gibi yöntemler bulunmaktadır. Bu tür yaklaşımlar, transistör yoğunluğunu artırırken aynı zamanda üretim sürecinin karmaşıklığını, maliyetini, verim risklerini ve tasarım kısıtlamalarını da beraberinde getirmektedir. Örneğin, daha az fin kullanmak, her bir transistörün performansını düşürebilirken, kontakları doğrudan aktif kapıların üzerine yerleştirmek, kısa devre riskini artırabilir.
Kirin 9030’un Performansı ve Enerji Verimliliği
Transistör yoğunluğu, genel işlem gücünü doğrudan yansıtmaz. Kirin 9030, kompakt yapısına rağmen, yaklaşık üç yıl öncesinin amiral gemisi seviyesindeki işlemcilere benzer bir performans sunuyor ancak modern Apple, Qualcomm, MediaTek ve Samsung tasarımlarına kıyasla önemli ölçüde daha düşük enerji verimliliğine sahip. Huawei’nin en güçlü CPU çekirdeği, IPC (Instruction Per Cycle – Döngü Başına Düşen Talimat) açısından yaklaşık Cortex-X2 seviyesinde çalışırken, Apple’ın çok daha küçük ve enerji tasarruflu çekirdeklerinin bile bazı durumlarda daha iyi performans gösterdiği ve çok daha az güç tükettiği belirtiliyor. Bu durum, 1950’lerde geliştirilen ilk transistörlerin, günümüzdeki karmaşık çiplerin temelini oluşturduğunu ancak zamanla enerji verimliliğinin giderek önem kazandığını hatırlatıyor.
Kirin 9030’un ne performans, ne de enerji verimliliği konusunda birincil sınıf olmadığını göz önünde bulundurarak, Intel 18A ile yapılan karşılaştırma tam olarak haklı gösterilemiyor. SMIC N+3’ün 32.5nm minimum metal aralığı, yaklaşık 36nm aralığına sahip Panther Lake’ten daha sıkı olsa da, 18A hem daha yüksek transistör yoğunluğuna, hem de önemli ölçüde daha iyi performans verimliliğine sahip. Ayrıca, 18A, kapıların etrafını saran transistörler ve arka taraftan güç dağıtımı teknolojilerini kullanıyor; bu da onu özellikle mobil sistemler ve veri merkezleri için uygun hale getiriyor. Bu durum, 20. yüzyılın başlarında geliştirilen ilk bilgisayarların, büyük boyutları ve yüksek enerji tüketimleri nedeniyle özel amaçlı kullanım alanlarına sahip olduğunu hatırlatıyor.
SemiAnalysis’in belirttiğine göre, ihracat kısıtlamaları Çin’in teknolojik ilerlemesini yavaşlatmış olsa da, gelişim devam ediyor. SMIC potansiyel olarak, üst ve alt metal katmanları sıkıştırarak, daha kısa standart hücreler kullanarak, daha küçük kapı aralıklarıyla ve sonunda arka taraftan güç dağıtımı sağlayarak transistör yoğunluğunu artırmaya devam edebilir. Şirket gelişimine devam ederse, N+4 yaklaşık TSMC N5 seviyesindeki yoğunluğa ulaşabilirken, arka taraftan güç dağıtımı olan N+5, Intel 18A seviyesindeki yoğunluğa yaklaşabilir. Ancak, transistör yoğunluğu tek başına performans veya güç verimliliğinde önemli iyileşmeler sağlamayabilir. Bu durum, ilk mikroişlemcilerin geliştirildiği dönemde, daha küçük ve daha güçlü çiplerin üretimi için yeni malzemelerin ve üretim tekniklerinin sürekli olarak araştırıldığını gösteriyor.
Genetik Araştırmalar ve Sağlıkta Yeni Ufuklar
Son yıllarda genetik araştırmalardaki gelişmeler, tıp alanında çığır açan yeniliklere yol açmaktadır. Özellikle karmaşık hastalıklara yönelik kişiselleştirilmiş tedavi yaklaşımları geliştirilmektedir. Bu alandaki ilerlemeler, geçmişte sadece teorik olan bazı tıbbi müdahalelerin bugün uygulanabilir hale gelmesini sağlamıştır. Örneğin, ilk başarılı insülin tedavisinin keşfi, diyabetli hastalar için yaşam süresini önemli ölçüde artırmıştı; benzer şekilde, günümüzde genetik tedaviler, daha önce tedavi edilemeyen birçok hastalığın yönetiminde umut vadediyor.
Anton Shilov, Tom’s Hardware’deki bir yazardır. Kariyeri boyunca CPU’lardan ve GPU’lardan süper bilgisayarlara, modern üretim teknolojilerinden en son fabrika ekipmanlarına ve yüksek teknoloji endüstrisi trendlerine kadar geniş bir yelpazede konuları kapsayan derinlemesine analizler sunmuştur.
Kaynak: Tom’S Hardware